Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT100TS065N
МОДУЛИ IGBT - IAP IGBT
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
- Номер производителя: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT100TS065N
- Упаковка: Коробка
- Техническая спецификация:-
- Запас: 2366
- Артикул: ВС-ГТ100ТС065Н
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Мощность - Макс. | 259 Вт |
| Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2,3 В при 15 В, 100 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 50 мкА |
| Вход | Стандартный |
| НТЦ-термистор | Нет |
| Рабочая температура | -40°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Крепление на шасси |
| Пакет/ключи | Модуль |
| Поставщик пакета оборудования | ИНТ-А-ПАК БТИЗ |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Другие имена | 112-ВС-ГТ100ТС065Н |
| Стандартный пакет | 15 |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов |
| Ряд | - |
| Упаковка | Коробка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип БТИЗ | Траншейная полевая остановка |
| Конфигурация | Полумостовой инвертор |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 650 В |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 96 А |
Модуль IGBT Trench Field Stop Полумостовой инвертор 650 В, 96 А, 259 Вт, монтаж на шасси INT-A-PAK IGBT
Больше продуктов
- Инфинеон Технологии IRGPC40UD2
- Инфинеон Технологии IRGBC30UD2
- Инфинеон Технологии IRGBC20FD2
- Инфинеон Технолоджис IRGPF50F
- Инфинеон Технологии IRGPC50F
- Инфинеон Технологии IRGBC40S
- Инфинеон Технологии IRGBC30S
- Инфинеон Технолоджис IRGPC50UD2
- Инфинеон Технолоджис IRGPC50FD2
- Инфинеон Технологии IRGPC40FD2
- Инфинеон Технологии IRGPC30FD2
- Инфинеон Технологии IRGBC20UD2
- Инфинеон Технологии IRGBC30FD2
- Инфинеон Технолоджис IRGPH50F
- Инфинеон Технолоджис IRGPH40F