Vishay General Semiconductor-Division VS-C12ET07T-M3
Diode Sil Carb 650V 12A DO 220AC
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Vishay General Semiconductor-Division VS-C12ET07T-M3
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3077
- Sku: VS-C12ET07T-M3
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Управо |
| Тела | Sic (kremniewый karbid) |
| На | 650 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 12A |
| На | 1,7 - @ 12 a |
| Скороп | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) |
| Ток - Обратна тебе | 65 мка @ 650 |
| Emcostath @ vr, f | 515pf @ 1V, 1 мгха |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | ДО-220-2 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-220AC |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 175 ° C. |
| Baзowый nomer prodikta | C12et07 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | Neprigodnnый |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 751-VS-C12ET07T-M3 |
| Станодадж | 50 |
DIOD 650 -12A чereз otwerstie odon 220ac