Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-3C12ET07S2L-M3

ПИТАНИЕ 650 В SIC GEN 3 СОЕДИНЕННЫЙ PIN-код

Производитель: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Номер производителя: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-3C12ET07S2L-M3
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1
Артикул: ВС-3C12ET07S2L-М3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $6.0600

Дополнительная цена:$6.0600

Подробности

Параметры
Производитель	Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	650 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	12А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,5 В при 12 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	65 мкА при 650 В
Эмкость @ Вр, Ф	535пФ @ 1В, 1МГц
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Поставщик пакета оборудования	ТО-263АБ (Д²ПАК)
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Базовый номер продукта	ВС-3С12
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	800

Диод 650 В 12А для поверхностного монтажа ТО-263АБ (D²PAK)