Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB10L25HE3_B/I
Диджотки 25 В 10А 263Ab
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB10L25HE3_B/I
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 1619
- Sku: SBLB10L25HE3_B/I.
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | ШOTKIй |
| На | 25 В |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 10 часов |
| На | 460 мВ @ 10 a |
| Скороп | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) |
| Ток - Обратна тебе | 800 мк. |
| Emcostath @ vr, f | - |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | TO-263AB (D²PAK) |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -65 ° С ~ 150 ° С. |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 112-SBLB10L25HE3_B/ITR |
| Станодадж | 800 |
DIOD 25 В 10А