Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4PKHM3_B/I
Diode Gen Purp 800V 4A DO 277A
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4PKHM3_B/I
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 1351
- Sku: S4pkhm3_b/i
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | Automotive, AEC-Q101, ESMP® |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Станода |
| На | 800 В |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 4 а |
| На | 1.1 V @ 4 a |
| Скороп | Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 2,5 мкс |
| Ток - Обратна тебе | 10 мк. |
| Emcostath @ vr, f | 30pf @ 4V, 1 мгест |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 277, 3-Powerdfn |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | TO-277A (SMPC) |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 150 ° С. |
| Baзowый nomer prodikta | S4PK |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 112-S4PKHM3_B/ITR |
| Станодадж | 1 |
Диди 800 В