ТТС5200(К)

NPN 150°C TJ 5 мкА ICBO 1 Элемент ТО-3ПЛ Лоток со сквозным отверстием

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: ТТС5200(К)
Упаковка: ТО-3ПЛ
Техническая спецификация:-
Запас: 9323
Артикул: 2541-ТТС5200(К)
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Частота	30 МГц
Количество элементов	1
Конфигурация элемента	Одинокий
Рассеяние активности	150 Вт
Продукт увеличения пропускной способности	30 МГц
Тип транзистора	НПН
Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	230В
Макс. ток коллектора	15А
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	80 @ 1А 5В
Ток-отсечка коллектора (макс.)	5 мкА ИКБО
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	3 В при 800 мА, 8 А
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	230В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	3В
Базовое напряжение коллектора (VCBO)	230В
Базовое напряжение эмиттера (VEBO)	5В
hFE Мин.	80
Высота	26 мм
Длина	20,5 мм
Ширина	5,2 мм
Радиационная закалка	Нет
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Без свинца	Без свинца
Срок выполнения заказа на заводе	12 недель
Установить	Сквозное отверстие
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-3ПЛ
Количество контактов	3
Рабочая температура	150°С, ТДж
Упаковка	Поднос
Опубликовано	2009 год
Статус детали	Активный
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Максимальная рассеиваемая мощность	150 Вт

Обзор TTC5200(Q)

Поскольку коэффициент усиления по постоянному току равен отношению тока коллектора к току базы, для этого устройства коэффициент усиления по постоянному току составляет 80 при 1 А, 5 В. Одиночный BJT-транзистор имеет коллекторное напряжение насыщения 3 В, что обеспечивает гибкость конструкции. В результате насыщения vce Ic достигает своего максимального значения (насыщенного), а насыщение vce (Макс) составляет 3 В@. 800 мА, 8 А. Для одного BJT-транзистора можно достичь высокого уровня эффективности, поддерживая базовое напряжение emSingle BJT-транзистора на уровне 5 В. Во время верхней работы ток коллектора может составлять всего 15 А вольт.

TTC5200(Q) Особенности

Коэффициент усиления по постоянному току для этого устройства составляет 80 при 1 А, 5 В.
насыщения напряжения коллектор-эмиттер 3В.
насыщение vce (макс.) составляет 3 В при 800 мА, 8 А.
напряжение базы-эмиттера работает на уровне 5 В.