| Параметры |
| Производитель | ИКСИС |
| Ряд | HiPerFET™, Ультра Х |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 850 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 8А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 850 мОм при 4 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5,5 В @ 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 17 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±30 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 654 пФ при 25 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 200 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-220АБ (IXFP) |
| Пакет/ключи | ТО-220-3 |
| Базовый номер продукта | IXFP8N85 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | -1402-IXFP8N85X |
| Стандартный пакет | 50 |
Н-канальный 850 В 8А (Tc) 200 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-220AB (IXFP)