Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS IXFP8N85X — IXYS FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXFP8N85X

IXFP8N85X

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXFP8N85X
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 300
  • Артикул: IXFP8N85X
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.3500

Дополнительная цена:$3.3500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд HiPerFET™, Ультра Х
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 850 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 850 мОм при 4 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 654 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 200 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220АБ (IXFP)
Пакет/ключи ТО-220-3
Базовый номер продукта IXFP8N85
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена -1402-IXFP8N85X
Стандартный пакет 50
Н-канальный 850 В 8А (Tc) 200 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-220AB (IXFP)