Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. A2T18S261W12NR3 - NXP USA Inc. Полевые транзисторы, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. A2T18S261W12NR3

А2Т18С261В12НР3

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. A2T18S261W12NR3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5337
  • Артикул: А2Т18С261В12НР3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Технология ЛДМОС
Частота 1,805–1,88 ГГц
Прирост 18,2 дБ
Напряжение – Тест 28 В
Текущий рейтинг (А) 10 мкА
Коэффициент шума -
Текущий — Тест 1,5 А
Мощность — Выход 280 Вт
Напряжение - номинальное 65 В
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи ОМ-880Х-2Л2Л
Поставщик пакета оборудования ОМ-880Х-2Л2Л
Базовый номер продукта А2Т18
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Другие имена 935338749528
Стандартный пакет 250
RF Mosfet 28 В 1,5 А 1,805–1,88 ГГц 18,2 дБ 280 Вт OM-880X-2L2L