Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. PBLS2002S,115 - NXP USA Inc. Биполярный (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PBLS2002S,115

ПБЛС2002С,115

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PBLS2002S,115
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9799
  • Артикул: ПБЛС2002С,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора 1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА, 3 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50В, 20В
Резистор — база (R1) 4,7 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 4,7 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30 при 10 мА, 5 В / 150 при 2 А, 2 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 355 мВ при 300 мА, 3 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мкА, 100 нА
Частота – переход 100 МГц
Мощность - Макс. 1,5 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования 8-СО
Базовый номер продукта ПБЛС20
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 1000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP 50 В, 20 В, 100 мА, 3 А, 100 МГц, 1,5 Вт, для внешнего монтажа 8-SO