Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8066-H,LQ(S - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8066-H,LQ(S)

TPCC8066-H,LQ(S

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8066-H,LQ(S)
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4169
  • Артикул: TPCC8066-H,LQ(S
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСVII-H
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 15 мОм при 5,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,3 В при 100 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 нк @ 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1100 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 700 мВт (Та), 17 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ТСОН Адванс (3,1х3,1)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта TPCC8066
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канал 30 В 11 А (Та) 700 мВт (Та), 17 Вт (Тс) Для поверхностного монтажа 8-ТСОН Advance (3,1х3,1)