Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage XPW6R30ANB,L1XHQ - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage XPW6R30ANB,L1XHQ

МОП-транзистор Н-Ч 100В 45А 8DSOP

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage XPW6R30ANB,L1XHQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: XPW6R30ANB,L1XHQ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,9800

Дополнительная цена:$1,9800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСVIII-H
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 45А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6,3 мОм при 22,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 500 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 52 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3240 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 960 мВт (Та), 132 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДСОП Прогресс
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта XPW6R30
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
N-канал 100 В 45 А (Ta) 960 мВт (Ta), 132 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-DSOP Advance