Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage XPW4R10ANB,L1XHQ - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage XPW4R10ANB,L1XHQ

МОП-транзистор N-CH 100 В 70 А AEC-Q101

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage XPW4R10ANB,L1XHQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 22
  • Артикул: XPW4R10ANB,L1XHQ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.3200

Дополнительная цена:$2.3200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 70А
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,1 мОм при 35 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 75 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4970 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора Стандартный
Рассеиваемая мощность (макс.) 170 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДСОП Прогресс
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Н-канальный, 100 В, 70 А, 170 Вт (Tc), для поверхностного монтажа, 8-DSOP Advance