Toshiba Semiconductor and Storage XPN9R614MC, L1XHQ

MOSFET P-CH 40 В 40A 8TSON

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $14000

Эkst цena:$14000

Подробнеси

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Автор, AEC-Q101, U-MOSVI
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	40a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	9,6mohm @ 20a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2.1 w @ 500 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	64 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	+10, -20v
Взёр.	3000 pf @ 10 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	840 мг (TA), 100 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-tson Advance-wf (3,1x3,1)
PakeT / KORPUES	8-powervdfn
Baзowый nomer prodikta	XPN9R614
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	5000

P-kanal 40- 40A (TA) 840 мт (TA), 100 мт (TC) porхnoStnoe krepleonee 8-ghit