Toshiba Semiconductor and Storage XPN9R614MC,L1XHQ

МОП-транзистор П-Ч 40В 40А 8ТСОН

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage XPN9R614MC,L1XHQ
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 13
Артикул: XPN9R614MC,L1XHQ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.4000

Дополнительная цена:$1.4000

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	Автомобильная промышленность, AEC-Q101, У-МОСВИ
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	P-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	40А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	9,6 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,1 В при 500 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	64 НК при 10 В
ВГС (Макс)	+10 В, -20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	3000 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	840 мВт (Та), 100 Вт (Тс)
Рабочая температура	175°С
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	8-ТСОН Адванс-ВФ (3,1х3,1)
Пакет/ключи	8-PowerVDFN
Базовый номер продукта	XPN9R614
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	5000

П-канал 40 В 40 А (Ta) 840 мВт (Ta), 100 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-TSON Advance-WF (3,1х3,1)

Toshiba Semiconductor and Storage XPN9R614MC,L1XHQ

Подробности

Теги

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ