Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage XPN7R104NC,L1XHQ - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage XPN7R104NC,L1XHQ

МОП-транзистор Н-Ч 40В 20А 8ТСОН

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage XPN7R104NC,L1XHQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4281
  • Артикул: XPN7R104NC,L1XHQ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.2500

Дополнительная цена:$1.2500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСIII
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7,1 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 200 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 21 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1290 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 840 мВт (Та), 65 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ТСОН Адванс-ВФ (3,1х3,1)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта XPN7R104
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
N-канал 40 В 20 А (Ta) 840 мВт (Ta), 65 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-TSON Advance-WF (3,1х3,1)