Toshiba Semiconductor and Storage XPH4R714MC, L1XHQ

МОСФЕТ P-CH 40 В 60A 8SOP

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.7700

Эkst цena:$1.7700

Подробнеси

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-MOSVI
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	60a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	4,7mohm @ 30a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2.1V @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	160 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	+10, -20v
Взёр.	5640 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	960 мт (TA), 132W (TC)
Rraboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop Advance (5x5)
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,197 », шIRINA 5,00 мм)
Baзowый nomer prodikta	XPH4R714
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	5000

P-KANAL 40- 60A (TA) 960 мт (TA), 132 Вт (TC) PORHERхNOSTNONONOCHEPLEPLENEEE 8-SOP ADVANCE (5x5)