Toshiba Semiconductor and Storage XPH4R10ANB, L1XHQ

MOSPET N-CH 100 В 70A 8SOP

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $2.2600

Эkst цena:$2.2600

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-MOSVIII-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	70A (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	6 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	4,1mohm @ 35a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3,5 - @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	75 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	4970 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	960 мт (TA), 170 st (TC)
Rraboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop Advance (5x5)
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,197 », шIRINA 5,00 мм)
Baзowый nomer prodikta	XPH4R10
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	5000

N-kanal 100- 70A (TA) 960 мт (TA), 170 st (TC) PoverхnoStnoEn-krepleonee 8-Sop Advance (5x5)