Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R206NC, L1XHQ

MOSPET N-CH 60 В 70A 8SOP

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.7500

Эkst цena:$1.7500

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	70A (TA)
Rds on (max) @ id, vgs	3,2mohm @ 35a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2,5 В 500 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	65 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	4180 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	960 мт (TA), 132W (TC)
Raboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop Advance (5x5)
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,197 », шIRINA 5,00 мм)
Baзowый nomer prodikta	XPH3R206
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	5000

N-kanal 60- 70a (ta) 960 мт (Ta), 132 st (tc) poverхnostnoe krepleonee 8-sop ardence (5x5)