Toshiba Semiconductor and Storage XK1R9F10QB, LXGQ

Mosfet n-ch 100v 160a do 220sm

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $3.9000

Эkst цena:$3.9000

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-MOSX-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	160A (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	6 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	1,92mohm @ 80a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3,5 - @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	184 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	11500 pf @ 10 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	375W (TC)
Raboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	DO-220SM (W)
PakeT / KORPUES	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB
Baзowый nomer prodikta	Xk1r9f10
Вернояж	3 (168 чASOW)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	1000

N-kanal 100-v 160a (ta) 375w (tc) onmognewoe krepleneenee-od-220sm (w)