Toshiba Semiconductor and Storage XK1R9F10QB,LXGQ

МОП-транзистор Н-Ч 100 В 160 А ТО220СМ

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage XK1R9F10QB,LXGQ
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3855
Артикул: XK1R9F10QB,LXGQ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.9000

Дополнительная цена:$3.9000

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	U-MOSX-H
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	160А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	1,92 мОм при 80 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3,5 В @ 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	184 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	11500 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	375 Вт (Тс)
Рабочая температура	175°С
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	ТО-220СМ(Вт)
Пакет/ключи	ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта	XK1R9F10
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1000

N-канал 100 В 160 А (Ta) 375 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа TO-220SM(W)

Toshiba Semiconductor and Storage XK1R9F10QB,LXGQ

Подробности

Теги

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ