Toshiba Semiconductor and Storage TW030N120C, S1F

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TW030N120C, S1F
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 119
Sku: TW030N120C, S1F
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $34 4500

Эkst цena:$34 4500

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	Sicfet (kremniewый karbid)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	1200
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	60a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	18В
Rds on (max) @ id, vgs	40mohm @ 30a, 18v
Vgs (th) (max) @ id	5 w @ 13 мая
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	82 NC @ 18 V
Vgs (mmaks)	+25, -10.
Взёр.	2925 PF @ 800
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	249 Вт (ТС)
Rraboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	247
PakeT / KORPUES	247-3
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	30

N-Kanal 1200 V 60a (Tc) 249 Вт (Tc) чereз otwerstie № 247