Toshiba Semiconductor and Storage TW030N120C,S1F

G3 1200В SIC-MOSFET ТО-247 30МО

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TW030N120C,S1F
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 119
Артикул: ТВ030Н120К,С1Ф
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $34.4500

Дополнительная цена:$34.4500

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	60А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	18В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	40 мОм при 30 А, 18 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	5 В при 13 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	82 НК при 18 В
ВГС (Макс)	+25В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	2925 пФ при 800 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	249 Вт (Тс)
Рабочая температура	175°С
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-247
Пакет/ключи	ТО-247-3
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	30

Н-канал 1200 В 60 А (Тс) 249 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247