Toshiba Semiconductor и система хранения данных TW015N65C, S1F

G3 650В SIC-MOSFET TO-247 15MOH

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor и система хранения данных TW015N65C, S1F
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 114
Артикул: ТВ015Н65К,С1Ф
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $55.4500

Дополнительная цена:$55.4500

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	18В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	21 мОм при 50 А, 18 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	5 В @ 11,7 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	128 НК при 18 В
ВГС (Макс)	+25В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	4850 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	342 Вт (Тс)
Рабочая температура	175°С
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-247
Пакет/ключи	ТО-247-3
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	30

Н-канал 650 В 100 А (Тс) 342 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247