Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TTC015B,Q — Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TTC015B,Q

СИЛОВОЙ ТРАНСИСТОР ПБ-Ф К-126Н ПК

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TTC015B,Q
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9183
  • Артикул: ТТС015Б,К
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,6600

Дополнительная цена:$0,6600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 2 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500 мВ при 100 мА, 1 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 500 мА, 2 В
Мощность - Макс. 1,5 Вт
Частота – переход 150 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-225АА, ТО-126-3
Поставщик пакета оборудования ТО-126Н
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 250
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80 В 2 А 150 МГц 1,5 Вт сквозное отверстие ТО-126Н