| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 1 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 800 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1 В при 50 мА, 500 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 на 100 мА, 5 В |
| Мощность - Макс. | 1 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 |
| Поставщик пакета оборудования | PW-МОЛД |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 800 В 1 А 1 Вт для поверхностного монтажа PW-MOLD