| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 12 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 80 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 400 мВ при 300 мА, 6 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 5 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 120 @ 1А, 1В |
| Мощность - Макс. | 2 Вт |
| Частота – переход | 50 МГц |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-220-3 Полный пакет |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-220СИС |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 50 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 80 В 12 А 50 МГц 2 Вт сквозное отверстие TO-220SIS