Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F, S1Q
Diode Sil Carbide 650V 8A DO 220F
- Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
- NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F, S1Q
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 139
- Sku: TRS8A65F, S1Q
- Xenobraзavanie: Mы ofзdali yasklючotelno giebkuю и коэнкузенто.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Sic (kremniewый karbid) |
| На | 650 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 8. |
| На | 1,6 V @ 8 a |
| Скороп | Верниони -весановейн> 500 май (io) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 0 м |
| Ток - Обратна тебе | 40 мк -при 650 |
| Emcostath @ vr, f | 28pf @ 650V, 1 мгха |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 220-2 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | TO-220F-2L |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | 175 ° C (MMAKS) |
| Baзowый nomer prodikta | TRS8A65 |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Станодадж | 50 |
DIOD 650-8.