| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Конфигурация диода | 1 пара с общим катодом |
| Технология | SiC (карбид кремния) Шоттки |
| Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | 650 В |
| Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) | 12А (постоянный ток) |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 1,6 В при 12 А |
| Скорость | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0 нс |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 60 мкА при 650 В |
| Рабочая температура - соединение | 175°С |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-247-3 |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-247 |
| Базовый номер продукта | ТРС24Н65 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.10.0080 |
| Другие имена | 264-ТРС24Н65ФБС1К |
| Стандартный пакет | 30 |
Диодная матрица, 1 пара, общий катод, 650 В, 12 А (постоянный ток), сквозное отверстие ТО-247-3