Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB, S1Q
SIC SBD TO-247 V = 650 IF = 12A
- Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
- NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB, S1Q
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya spehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 55
- Sku: TRS12N65FB, S1Q
- Xenobraзavanie: Mы ofзdali yasklючotelno giebkuю и коэнкузенто.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| Коунфигурахия | 1 пар |
| Тела | Sic (kremniewый karbid) |
| На | 650 |
| Ток - Средниги ипра. | 6А (DC) |
| На | 1,6 @ 6 a |
| Скороп | Верниони -весановейн> 500 май (io) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 0 м |
| Ток - Обратна тебе | 30 мк @ 650 |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | 175 ° С |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 247 |
| Baзowый nomer prodikta | TRS12N65 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 264 TRS12N65FBS1Q |
| Станодадж | 30 |
Diodnahnain Mysciva 1Pora obhщiй kaTod 650 v 6A (dc) чereз oTwerStie oDO 247-3