Toshiba Semiconductor and Storage TPW1500CNH,L1Q

СИЛОВОЙ МОП-транзистор ПБ-Ф ДСО

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TPW1500CNH,L1Q
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5
Артикул: ТПВ1500CNH,L1Q
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2,6600

Дополнительная цена:$2,6600

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	У-МОСVIII-H
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	150 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	38А (Тц)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	15,4 мОм при 19 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	22 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	2200 пФ при 75 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	800 мВт (Та), 142 Вт (Тс)
Рабочая температура	150°С
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	8-ДСОП Прогресс
Пакет/ключи	8-PowerWDFN
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	5000

N-канальный 150 В, 38 А (Tc) 800 мВт (Ta), 142 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-DSOP Advance