| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | U-MOSX-H |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 34А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 6В, 10В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 19 мОм при 17 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3,5 В @ 200 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 16 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1400 пФ при 40 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 630 мВт (Та), 57 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | 175°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 8-ТСОН Адванс (3,1х3,1) |
| Пакет/ключи | 8-PowerVDFN |
| Базовый номер продукта | ТПН19008 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 3000 |
Н-канальный 80 В 34 А (Tc) 630 мВт (Ta), 57 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-ТСОН Advance (3,1х3,1)