Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL1, LQ

Umos9 sop-adv (n) pd = 78w f = 1 mmgц

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.5900

Эkst цena:$1.5900

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-MOSVIII-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	150a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	0,9 м
Vgs (th) (max) @ id	2.3V @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	74 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	6900 pf @ 15 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	800 мт (TA), 170 st (TC)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	Advance 8-Sop (5x5,75)
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	5000

N-kanal 30- 150A (TC) 800 мт (TA), 170-й (TC) PORхNOSTNONONOENPLEPLENIEE 8-SOP ADVANCE (5x5,75)