Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1, LQ

Umos9 sop-adv (n) pd = 210w f = 1 mmgц

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1, LQ
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 24
Sku: TPHR6503PL1, LQ
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $2.2000

Эkst цena:$2.2000

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-Mosix-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	150a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	0,65MOHM @ 50a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2.1V @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	110 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	10000 pf @ 15 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	960 мт (TA), 210 st (TC)
Rraboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	Advance 8-Sop (5x5,75)
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	5000

N-kanal 30- 150A (TC) 960 мт (TA), 210-й (TC), наступившего 8-Sop Advance (5x5,75)