Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R60APL, L1Q

PB-F Power MOSFET Transistor NC

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R60APL, L1Q
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 8511
Sku: TPH5R60APL, L1Q
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.3600

Эkst цena:$1.3600

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-Mosix-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	60a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	5,6mohm @ 30a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 В 500 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	52 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	4300 pf @ 50 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	960 мт (TA), 132W (TC)
Rraboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop Advance (5x5)
PakeT / KORPUES	8-powervdfn
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	5000

N-kanal 100- 60A (TC) 960 мг (TA), 132-й (TC) PoverхnosTnoEn-krepleonee 8-Sop Advance (5x5)