Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R803PL, LQ

TPH4R803PL, LQ

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,7800

Эkst цena:$0,7800

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-Mosix-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	48a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	4,8 мома @ 24а, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2.1V @ 200 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	22 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1975 PF @ 15 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	830 мг (TA), 69W (TC)
Rraboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop Advance (5x5)
PakeT / KORPUES	8-powervdfn
Baзowый nomer prodikta	TPH4R803
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

N-kanal 30- 48a (tc) 830mw (ta), 69w (tc) porхnostnoe kreplepleneene 8-sop adange (5x5)