Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH1,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH1,LQ

МОП-транзистор 100 В 4,5 МОм SOP-ADV(N)

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH1,LQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 8
  • Артикул: ТПХ4Р50АНХ1,ЛК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,5400

Дополнительная цена:$1,5400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСVIII-H
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 92А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,5 мОм при 46 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 58 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5200 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 800 мВт (Та)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОП Прогресс (5x5,75)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Н-канал 100 В 92 А (Tc) 800 мВт (Ta) для поверхностного монтажа 8-SOP Advance (5x5,75)