Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 100 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 170A (TA), 90A (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 3,7mohm @ 45a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 h @ 1ma |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 67 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 6300 pf @ 50 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 3W (TA), 210W (TC) |
Rraboч -yemperatura | 175 ° С |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Advance 8-Sop (5x5,75) |
PakeT / KORPUES | 8-Powertdfn |
Baзowый nomer prodikta | TPH3R70 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Станодар | 5000 |
N-kanal 100 v 170A (TA), 90A (TC) 3W (TA), 210 st (TC) PoverхnoStnoe kreplepleneene 8-Sop Advance (5x5,75)