Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM,LQ

100 В U-MOS XH SOP-ADVANCE(N) 3.

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM,LQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 10
  • Артикул: ТПХ3Р10АКМ,ЛК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,7000

Дополнительная цена:$1,7000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 180А (Та), 120А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,1 мОм при 50 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 500 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 83 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7400 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3 Вт (Та), 210 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОП Прогресс (5x5,75)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта ТПХ3Р10
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Стандартный пакет 5000
N-канал 100 В 180 А (Ta), 120 А (Tc) 3 Вт (Ta), 210 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-SOP Advance (5x5,75)