Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | U-Mosix-H |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 70A (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 2,9MOM @ 35A, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2.1V @ 200 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 26 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 2300 pf @ 15 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 960 мт (TA), 81 st (TC) |
Rraboч -yemperatura | 175 ° С |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop Advance (5x5) |
PakeT / KORPUES | 8-powervdfn |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 5000 |
N-kanal 30- 70A (TC) 960 мг (TA), 81-й (TC) PoverхnoStnoe krepleplenee 8-Sop Advance (5x5)