Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R903PL,L1Q — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R903PL,L1Q

ПБ-ФСИЛОВЫЕ МОП-транзисторыOP8-AD

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R903PL,L1Q
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9455
  • Артикул: ТПХ2Р903ПЛ,Л1К
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9400

Дополнительная цена:$0,9400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-MOSIX-H
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 70А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,9 мОм при 35 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,1 В при 200 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 26 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2300 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 960 мВт (Ta), 81 Вт (Tc)
Рабочая температура 175°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОП Прогресс (5x5)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
N-канал 30 В 70 А (Tc) 960 мВт (Ta), 81 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-SOP Advance (5x5)