Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | U-Mosix-H |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 45 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 100a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 2,8mohm @ 50a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,4 В @ 500 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 73 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 5175 PF @ 22,5 |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 830 мт (TA), 116W (TC) |
Rraboч -yemperatura | 175 ° С |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop Advance (5x5) |
PakeT / KORPUES | 8-powervdfn |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 3000 |
N-kanal 45-nmarna (tc) 830 мт (Ta), 116w (tc) porхnostnoe kreplepleonee 8-sop ardence (5x5)