Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH1, LQ

Umos9 sop-adv (n) pd = 170 т f = 1 mmgц

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.5700

Эkst цena:$1.5700

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-MOSVIII-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	136a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	6,5 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	2,3mohm @ 50a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	72 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	6100 pf @ 30 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	800 мт (TA), 170 st (TC)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	Advance 8-Sop (5x5,75)
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	5000

N-kanal 60- 136a (Tc) 800 мт (Ta), 170 st (tc) porхnostnoe kreplepleonee 8-sop ardence (5x5,75)