Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | U-Mosix-H |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 100a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 1,34 мм @ 50a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 h @ 1ma |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 91 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 8100 pf @ 30 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 960 мт (TA), 210 st (TC) |
Rraboч -yemperatura | 175 ° С |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Advance 8-Sop (5x5,75) |
PakeT / KORPUES | 8-Powertdfn |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 5000 |
N-kanal 60-nmarna (Tc) 960 мг (Ta), 210 st (tc) porхnostnoe kreplepleonee 8-sop Advance (5x5,75)