Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R104PB, L1XHQ

MOSPET N-CH 40 В 120A 8SOP

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $2.0900

Эkst цena:$2.0900

Подрэбной

Парметр
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	120A (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	6 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	1,14mohm @ 60a, 10
Vgs (th) (max) @ id	3 В @ 500 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	55 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	4560 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	960 мт (TA), 132W (TC)
Raboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop Advance (5x5)
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,197 », шIRINA 5,00 мм)
Baзowый nomer prodikta	TPH1R104
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.21.0095
Станодадж	5000
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-Mosix-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40

N-kanal 40- 120a (ta) 960 мг (TA), 132-й (TC) PoverхnoStnoe Creplepleonee 8-Sop Advance (5x5)