Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105,L1Q

СИЛОВОЙ МОП-транзистор ПБ-Ф ТСО

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105,L1Q
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4009
  • Артикул: TPCC8105,L1Q
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,8200

Дополнительная цена:$0,8200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСВИ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 23А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7,8 мОм при 11,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 500 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 76 НК при 10 В
ВГС (Макс) +20В, -25В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3240 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 700 мВт (Та), 30 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ТСОН Адванс (3,3х3,3)
Пакет/ключи 8-ВДФН Открытая площадка
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
П-канал 30 В 23 А (Та) 700 мВт (Та), 30 Вт (Тс) Для поверхностного монтажа 8-ТСОН Advance (3,3х3,3)