Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2E06PL,S1X

СИЛОВОЙ МОП-транзистор ПБ-Ф К-

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2E06PL,S1X
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 7698
Артикул: ТК8Р2Е06ПЛ,С1Х
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.2000

Дополнительная цена:$1.2000

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	У-MOSIX-H
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	50А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	8,2 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В при 300 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	28 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1990 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	81 Вт (Тс)
Рабочая температура	175°С
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-220
Пакет/ключи	ТО-220-3
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	50

Н-канал 60 В 50 А (Тс) 81 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220