Toshiba Semiconductor and Storage TK8P65W, RQ

PB-F Power Mosfet Transistor DPA

Проиджодел: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TK8P65W, RQ
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 2854
Sku: TK8P65W, RQ
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.9100

Эkst цena:$1.9100

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Dtmosiv
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	650
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	7.8A (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	670mom @ 3,9a, 10
Vgs (th) (max) @ id	3,5 В 300 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	16 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	570 PF @ 300
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	80 Вт (TC)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	Dpak
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	2000

N-kanal 650-7,8а (TA) 80W (TC) poverхnosTnoe krepleneene dpak dpak