Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z, LXHQ

Mosfet N-CH 100V 7A DPAK

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,8900

Эkst цena:$0,8900

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-MOSVIII-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	7A (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	48mohm @ 3,5a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 w @ 100 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	7.1 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	470 pf @ 10 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	50 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	DPAK+
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Baзowый nomer prodikta	TK7S10
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	2000

N-kanal 100- 7A (ta) 50 st (tc) poverхnosstnoe