Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK7R0E08QM,S1X — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK7R0E08QM,S1X

УМОС10 ТО-220АБ 80В 7МОм

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK7R0E08QM,S1X
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 172
  • Артикул: ТК7Р0Е08QM,S1X
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,4500

Дополнительная цена:$1,4500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд U-MOSX-H
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 64А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7 МОм при 32 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 500 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2700 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 87 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
Н-канал 80 В 64 А (Тс) 87 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220