| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | ДТМОСИВ |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 800 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 6,5 А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 950 мОм при 3,3 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4 В @ 280 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 13 нк @ 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 700 пФ при 300 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 35 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | 150°С |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-220СИС |
| Пакет/ключи | ТО-220-3 Полный пакет |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 50 |
N-канал 800 В 6,5 А (Ta) 35 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220SIS