| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | U-MOSX-H |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 62А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 6В, 10В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 6,9 мОм при 31 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3,5 В при 500 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 39 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2700 пФ при 40 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 89 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | 175°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | ДПАК |
| Пакет/ключи | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 2500 |
N-канальный 80 В 62 А (Tc) 89 Вт (Tc) для поверхностного монтажа DPAK