Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5,S1VF - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5,S1VF

СИЛОВОЙ МОП-транзистор ПБ-Ф К-

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5,S1VF
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 18
  • Артикул: ТК62Н60В5,С1ВФ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $11.3800

Дополнительная цена:$11.3800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд ДТМОСИВ
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 61,8А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 45 мОм при 30,9 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,5 В при 3,1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 205 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6500 пФ при 300 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 400 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247
Пакет/ключи ТО-247-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 30
Н-канал 600 В 61,8 А (Та) 400 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247