Toshiba Semiconductor and Storage TK60S10N1L, LXHQ

Mosfet N-CH 100V 60A DPAK

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.5800

Эkst цena:$1.5800

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-MOSVIII-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	60a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	6 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	6.11mohm @ 30a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3,5 В @ 500 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	60 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	4320 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	180 Вт (ТС)
Rraboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	DPAK+
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Baзowый nomer prodikta	TK60S10
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	2000

N-kanal 100- 60 A (Ta) 180 st (tc) poverхnosstnoe