Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L,LXGQ

МОП-транзистор Н-Ч 100 В 60 А ТО220СМ

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L,LXGQ
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация:-
Запас: 1
Артикул: ТК60Ф10Н1Л,ЛСГК
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.3200

Дополнительная цена:$2.3200

Подробности

Параметры
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	60А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	6,11 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3,5 В при 500 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	60 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	4320 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	205 Вт (Тс)
Рабочая температура	175°С
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	ТО-220СМ(Вт)
Пакет/ключи	ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта	ТК60Ф10
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1000
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	У-МОСVIII-H
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал

N-канал 100 В 60 А (Ta) 205 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа TO-220SM(W)

Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L,LXGQ

Подробности

Теги

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ