Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L, LXGQ

Mosfet n-ch 100v 60a do 220sm

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $2.3200

Эkst цena:$2.3200

Подрэбной

Парметр
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	60a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	6 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	6.11mohm @ 30a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3,5 В @ 500 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	60 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	4320 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	205W (TC)
Rraboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	DO-220SM (W)
PakeT / KORPUES	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB
Baзowый nomer prodikta	TK60F10
Вернояж	3 (168 чASOW)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	1000
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-MOSVIII-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал

N-kanal 100- 60A (TA) 205W (TC).